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GT30F123 - Transistor IGBT O GT30F123 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação rápida. Este componente é ideal para uso em circuitos de conversão de potência, como inversores e controladores de motor, devido à sua alta eficiência e velocidade de comutação. O transistor pode suportar uma tensão de coletor-emissor de até 300V e uma corrente de coletor contínua de até 200A, com uma capacidade de corrente de pulso de até 400A, proporcionando robustez e confiabilidade para aplicações de alta potência.
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