FQP 60N06: Transistor MOSFET N-Channel de potência, projetado para aplicações de alta eficiência em comutação. Utilizado em fontes de alimentação, conversores DC-DC, e controle de motor. Tensão máxima de dreno-fonte (Vds) é de 60V, e a corrente contínua de dreno (Id) é de 60A. Este transistor oferece baixa resistência de dreno-fonte em estado ligado e alta robustez para aplicações de alta performance.
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