IRF 8010
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IRF8010 - Transistor MOSFET N-Channel O IRF8010 é um transistor MOSFET de canal N, projetado para aplicações de alta eficiência em comutação. Este componente é ideal para uso em fontes de alimentação de alta frequência e outras aplicações de comutação de potência. Com uma tensão máxima Vds de 100V e uma corrente contínua de dreno Id de 80A, o IRF8010 oferece excelente capacidade de condução e eficiência energética. A resistência Rds(on) é de apenas 8.0 mOhm, o que contribui para uma menor perda de potência no dispositivo. Este transistor é uma escolha robusta e confiável para projetos que exigem componentes de alta performance para manejo de potência.
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