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IRFB5620 - Transistor MOSFET de Potência N-Channel: O IRFB5620 é um transistor MOSFET de potência tipo N-Channel, ideal para aplicações de comutação de alta eficiência. Este componente oferece uma tensão máxima de dreno-fonte (Vds) de 200V e uma corrente contínua de dreno (Id) de até 18A. Com uma resistência de dreno-fonte (Rds on) de apenas 0.190 ohms, o IRFB5620 proporciona uma operação eficiente, reduzindo as perdas de potência em aplicações de alta tensão. É adequado para uso em fontes de alimentação, conversores DC-DC, e outras aplicações de eletrônica de potência que requerem comutação rápida e eficiente.

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