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RJP30E2 é um transistor do tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Este componente é projetado para aplicações de alta eficiência e velocidade, sendo comumente utilizado em inversores e outros equipamentos de comutação de alta frequência. O RJP30E2 pode operar com uma tensão máxima de coletor-emissor de 360 V e uma corrente de coletor contínua de até 35 A, oferecendo uma solução robusta e confiável para circuitos de potência.

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