H 8NA60 FI - Grande

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H8NA60FI - Transistor MOSFET de Potência O H8NA60FI é um transistor MOSFET de potência N-channel, projetado para aplicações de alta tensão e alta eficiência. Este componente é ideal para conversores de energia, fontes de alimentação e outras aplicações de comutação de alta tensão. Com uma tensão máxima de dreno-fonte (Vds) de 600V e uma corrente contínua de dreno (Id) de 8A, o H8NA60FI oferece excelente capacidade de condução e robustez. Este transistor também apresenta uma baixa resistência de dreno-fonte (Rds(on)) para maior eficiência energética.

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