H 8NA60 FI - Pequeno

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H8NA60FI - Transistor MOSFET de Potência N-Channel: Este transistor MOSFET N-Channel, modelo H8NA60FI, é projetado para aplicações de alta eficiência em comutação. Com uma tensão máxima de dreno-fonte (Vds) de 600V e uma corrente contínua de dreno (Id) de 8A, ele é ideal para conversores de alta tensão, inversores, e outras aplicações de gerenciamento de energia. Este componente oferece baixa resistência de condução e alta robustez, proporcionando uma solução eficaz para sistemas que exigem componentes de alta tensão.

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