RJP 63F3
RJP63F3: Transistor do tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) utilizado principalmente em aplicações de comutação de alta eficiência. Este componente é adequado para inversores de alta velocidade e aplicações de comutação devido à sua alta tensão de bloqueio e capacidade de corrente. Tensão de trabalho: 630V, Corrente de trabalho: 40A.
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